NAND bellek endüstrisinde, hücre içi verimliliği artırmak kadar kapasiteleri artırmak da önemlidir. Yığın katman teknolojisini uzun süredir sürdüren sektörde sayılar giderek artmaya başladı. Aslında, 3D NAND olarak Micron toplamda 176 katmana ulaştı, ancak SK Hynix, biraz farklı bir optimizasyonla 4D NAND bellek üretiyor. Ayrıca 176 katmana ulaştı. 4D NAND bellekte, bellek yongalarının yanında bulunan destek devresi yongaların altına yerleştirilir. Böylece yeni bir dizi ortaya çıkar. Yeni dizi sayesinde, bir devre kartına daha fazla depolama alanı yerleştirilebilir ve maliyetler azalır. Özellikle katman sayısı artarken yüzde 50-60 civarında tasarruf sağlandığı belirtiliyor. Böylece daha ucuz SSD modellerine kapı açılıyor. Yeni 4D NAND bellek, şirketin üçüncü nesil çalışmalarını temsil ediyor. 96 katmanlı NAND belleğinden beri SK Hynix; 4D, NAND teknolojisini geliştiriyor. Yeni nesil 4D NAND bellek, önceki nesle göre yüzde 35 daha iyi bit verimliliği sağlar. Okuma hızı yüzde 20, toplam veri aktarım hızı yüzde 33 artıyor. SK Hynix, önümüzdeki yılın ortasına kadar okuma hızında yüzde 70 ve yazma hızında yüzde 35 artış elde etmeyi planlıyor. Şirket bunun için hücre yüksekliğini azaltma, katman değişken zamanlama kontrolü, ultra hassas sıralama gibi teknolojileri kullanıyor.
176 katmanlı 4D NAND belleğe sahip 1 TB kapasiteli modüller üretmeyi planlayan şirket, böylece yoğunluğu ikiye katlayacak. Onları rekabette öne çıkaracak bu gelişmelerin önümüzdeki dönemde tüketici ve kurumsal SSD modellerinde yer alması bekleniyor.